- ArtikelnummerTPH3208PD
- MarkeTransphorm
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungGANFET N-CH 650V 20A TO220AB
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$10.28
- 10$9.252
- 50$8.4296
- 100$7.6072
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:20A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:130mOhm @ 13A, 8V
- vgs (th) (max) @ id:2.6V @ 300µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 8 V
- vgs (max):±18V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 400 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):96W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB
- Paket / Koffer:TO-220-3
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