- ArtikelnummerAPT80SM120J
- MarkeMicrosemi
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungSICFET N-CH 1200V 51A SOT227
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:51A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):20V
- rds on (max) @ id, vgs:55mOhm @ 40A, 20V
- vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:235 nC @ 20 V
- vgs (max):+25V, -10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):273W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Chassis Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:SOT-227
- Paket / Koffer:SOT-227-4, miniBLOC
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