Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bag
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:20A
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V
• rds on (max) @ id, vgs:120mOhm @ 10A, 5V
• vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 5 V
• vgs (max):±15V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:Logic Level Gate, 4V Drive
• Verlustleistung (max):105W (Tc)
• Betriebstemperatur:175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-220
• Paket / Koffer:TO-220-3