Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):55 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:42A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
• rds on (max) @ id, vgs:27mOhm @ 25A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:48 nC @ 5 V
• vgs (max):-
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1.7 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):-
• Betriebstemperatur:-
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:I-PAK
• Paket / Koffer:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA