Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
• Drain-Source-Spannung (vdss):900 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:34A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:63mOhm @ 22A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4.4V @ 700µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17.5 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:980 pF @ 600 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):119W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
• Paket / Koffer:TO-247-3