Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:25A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
• rds on (max) @ id, vgs:15.3mOhm @ 12.5A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:6V @ 20mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:61 nC @ 10 V
• vgs (max):-
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4.35 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):30W (Tc)
• Betriebstemperatur:150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-LFPAK-iV
• Paket / Koffer:8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)