- ArtikelnummerIPP80N06S3-07
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tube
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):55 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:80A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:6.8mOhm @ 51A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 80µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:170 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:7768 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):135W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO220-3-1
- Paket / Koffer:TO-220-3
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