Technische Details

• Serie:CoolMOS™
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):800 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:8A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:650mOhm @ 5.1A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:3.9V @ 470µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1.1 pF @ 100 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):104W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO262-3-1
• Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA