Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):12 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:84A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.8V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:8.5mOhm @ 15A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1.9V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 5 V
• vgs (max):±12V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2.49 pF @ 6 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):88W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:I-PAK
• Paket / Koffer:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA