Technische Details

• Serie:*
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:36A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):20V
• rds on (max) @ id, vgs:90mOhm @ 18A, 20V
• vgs (th) (max) @ id:5.8V @ 20mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:67 nC @ 20 V
• vgs (max):±25V, -10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1680 pF @ 800 V
• Fet-Funktion:Standard
• Verlustleistung (max):272W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P(N)
• Paket / Koffer:TO-3P-3, SC-65-3