Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):12 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3.5A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.2V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:40mOhm @ 3A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:800mV @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±8V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1.157 pF @ 6 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):700mW (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:6-WDFN (2x2)
• Paket / Koffer:6-WDFN Exposed Pad