Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tray
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
• Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:6.5A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):8V
• rds on (max) @ id, vgs:312mOhm @ 5A, 8V
• vgs (th) (max) @ id:2.6V @ 500µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:9.6 nC @ 8 V
• vgs (max):±18V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 400 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):21W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:3-PQFN (8x8)
• Paket / Koffer:3-PowerDFN