Technische Details

• Serie:POWER MOS 8™
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1000 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:35A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:380mOhm @ 18A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:5V @ 2.5mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:305 nC @ 10 V
• vgs (max):±30V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:9835 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):1135W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:T-MAX™ [B2]
• Paket / Koffer:TO-247-3 Variant