- ArtikelnummerTK6Q65W,S1Q
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 2.087
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Preisgestaltung:
- 1$1.1304
- 75$1.1304
Technische Details
- Serie:DTMOSIV
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:5.8A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:1.05Ohm @ 2.9A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 180µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:390 pF @ 300 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):60W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:I-PAK
- Paket / Koffer:TO-251-3 Stub Leads, IPak
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