- ArtikelnummerIPI05CN10N G
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tube
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:100A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:5.4mOhm @ 100A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:181 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:12000 pF @ 50 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):300W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO262-3
- Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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