- ArtikelnummerSISS22DN-T1-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$1.62
- 3.000$0.82298
- 6.000$0.79442
Technische Details
- Serie:TrenchFET® Gen IV
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:25A (Ta), 90.6A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):7.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:4mOhm @ 15A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.6V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:44 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1870 pF @ 30 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):5W (Ta), 65.7W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
- Paket / Koffer:PowerPAK® 1212-8S
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