- ArtikelnummerSIHU6N65E-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 7A IPAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.456
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Preisgestaltung:
- 1$0.81675
- 3.000$0.81675
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:7A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:600mOhm @ 3A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:48 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:820 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):78W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:IPAK (TO-251)
- Paket / Koffer:TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
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