- ArtikelnummerSIDR638DP-T1-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 2.841
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$2.18
- 3.000$1.10406
- 6.000$1.06574
Technische Details
- Serie:TrenchFET® Gen IV
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:100A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:0.88mOhm @ 20A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.3V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:204 nC @ 10 V
- vgs (max):+20V, -16V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:10500 pF @ 20 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):125W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® SO-8DC
- Paket / Koffer:PowerPAK® SO-8
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