- ArtikelnummerIRFS31N20DTRLP
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungHEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.97
- 800$0.97
- 1.600$0.89806
- 2.400$0.84271
- 5.600$0.81504
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:31A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:82mOhm @ 18A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:5.5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:107 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2.37 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):3.1W (Ta), 200W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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