- ArtikelnummerSCT3120ALGC11
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungSICFET N-CH 650V 21A TO247N
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$7.98
- 10$7.20838
- 30$6.87277
- 120$5.96741
- 270$5.69921
- 510$5.19635
- 1.020$4.69347
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:21A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):18V
- rds on (max) @ id, vgs:156mOhm @ 6.7A, 18V
- vgs (th) (max) @ id:5.6V @ 3.33mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:38 nC @ 18 V
- vgs (max):+22V, -4V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:460 pF @ 500 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):103W (Tc)
- Betriebstemperatur:175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-247N
- Paket / Koffer:TO-247-3
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