Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:1.1A
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
• rds on (max) @ id, vgs:462mOhm @ 300mA, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1.5V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:1 nC @ 4.5 V
• vgs (max):+5.5V, -300mV
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:85 pF @ 15 V
• Fet-Funktion:Schottky Diode (Isolated)
• Verlustleistung (max):1W (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 125°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:4-WLCSP (1x1)
• Paket / Koffer:4-XFBGA, WLCSP