Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:-
• Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1700 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:-
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
• rds on (max) @ id, vgs:-
• vgs (th) (max) @ id:-

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
• vgs (max):-
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):-
• Betriebstemperatur:-
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4
• Paket / Koffer:TO-247-4