Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):25 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:28A (Ta), 125A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:1.7mOhm @ 28A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2.1V @ 50µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±16V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2.51 pF @ 13 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.1W (Ta), 42W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET™ S3C
• Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric S3C