- ArtikelnummerIRFU3410PBF
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 100V 31A IPAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 1.956
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Preisgestaltung:
- 1$1.07
- 10$0.94469
- 100$0.74688
- 500$0.57922
- 1.000$0.45728
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:31A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:39mOhm @ 18A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1690 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):3W (Ta), 110W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:IPAK (TO-251)
- Paket / Koffer:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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