- ArtikelnummerFQB4N80TM
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.71
- 800$0.42565
- 1.600$0.38655
- 2.400$0.36211
- 5.600$0.34501
Technische Details
- Serie:QFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):800 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3.9A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:3.6Ohm @ 1.95A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:880 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):3.13W (Ta), 130W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:D²PAK (TO-263AB)
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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