Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:13A (Ta), 43A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
• rds on (max) @ id, vgs:9mOhm @ 20A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2.35V @ 25µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1180 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.7W (Ta), 28W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
• Paket / Koffer:8-PowerVDFN