Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
• Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:20A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:130mOhm @ 13A, 8V
• vgs (th) (max) @ id:2.6V @ 300µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 8 V
• vgs (max):±18V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 400 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):96W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:4-PQFN (8x8)
• Paket / Koffer:4-PowerDFN