- ArtikelnummerIRFB4115GPBF
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungHEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 1.413
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Preisgestaltung:
- 1$1.77
- 10$1.57919
- 100$1.29483
- 500$1.0485
- 1.000$0.88428
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):150 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:104A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 62A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:120 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:5.27 pF @ 50 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):380W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB
- Paket / Koffer:TO-220-3
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