- ArtikelnummerTPH3208LDG
- MarkeTransphorm
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 285
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Preisgestaltung:
- 1$10.81
- 10$9.729
- 60$8.8642
- 120$7.9994
- 300$7.3508
- 540$6.7022
- 1.020$6.0536
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:20A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:130mOhm @ 13A, 8V
- vgs (th) (max) @ id:2.6V @ 300µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 8 V
- vgs (max):±18V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 400 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):96W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:3-PQFN (8x8)
- Paket / Koffer:3-PowerDFN
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