Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
• Fet-Funktion:Logic Level Gate
• Drain-Source-Spannung (vdss):20V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:6.6A
• rds on (max) @ id, vgs:29mOhm @ 6A, 4.5V

• vgs (th) (max) @ id:700mV @ 250µA
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:27nC @ 4.5V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:900pF @ 15V
• Leistung max:2W
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Gerätepaket des Lieferanten:8-SO