- ArtikelnummerIPG20N06S2L35AATMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 14.333
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$1.28
- 5.000$0.70608
- 10.000$0.67953
Technische Details
- Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (vdss):55V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:2A (Tc)
- rds on (max) @ id, vgs:35mOhm @ 15A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2V @ 27µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:23nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:790pF @ 25V
- Leistung max:65W
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount, Wettable Flank
- Paket / Koffer:8-PowerVDFN
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TDSON-8-10
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