Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tape & Reel (TR)
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:32A (Ta), 180A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:1.8mOhm @ 15A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:71 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±12V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:6580 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET™ MT
• Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric MT