Technische Details

• Serie:HEXFET®, StrongIRFET™
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:195A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 100A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:3.9V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:324 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:10.82 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):-
• Betriebstemperatur:-
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-220-3
• Paket / Koffer:TO-220-3