- ArtikelnummerIRF630NSPBF
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungHEXFET POWER MOSFET
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.996
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.72
- 850$0.72
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:9.3A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:300mOhm @ 5.4A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:575 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):82W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.