Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):55 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:42A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:13.5mOhm @ 36A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 5 V
• vgs (max):±16V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1.57 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):110W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:IPAK (TO-251)
• Paket / Koffer:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA