- ArtikelnummerIRF630
- MarkeSTMicroelectronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$1.2
- 50$0.96099
- 100$0.8408
- 500$0.65209
- 1.000$0.5148
- 2.500$0.48048
- 5.000$0.45646
Technische Details
- Serie:MESH OVERLAY™ II
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:9A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:400mOhm @ 4.5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:700 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):75W (Tc)
- Betriebstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB
- Paket / Koffer:TO-220-3
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