Technische Details

• Serie:QFET®
• Paket:Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:300mA (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:11.5Ohm @ 150mA, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:6.2 nC @ 10 V
• vgs (max):±30V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:170 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):1W (Ta), 3W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-92-3
• Paket / Koffer:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)