- ArtikelnummerIRF3710ZLPBF
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungHEXFET POWER MOSFET
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.47
- 10$0.4206
- 100$0.33706
- 500$0.26638
- 1.000$0.21497
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:59A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:18mOhm @ 35A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:120 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2.9 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):160W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-262
- Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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