Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):12 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:4.3A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.8V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:50mOhm @ 4.3A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:950mV @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 5 V
• vgs (max):±8V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:830 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):1.3W (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:Micro3™/SOT-23
• Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3