- ArtikelnummerIPD60R800CEATMA1
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.24
- 2.500$0.24
Technische Details
- Serie:CoolMOS™ CE
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:5.6A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:800mOhm @ 2A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 170µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17.2 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:373 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):48W (Tc)
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-252-3
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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