- ArtikelnummerIPD60R180P7ATMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.124
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$2.27
- 2.500$1.41367
- 5.000$1.36725
Technische Details
- Serie:CoolMOS™ P7
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:18A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:180mOhm @ 5.6A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 280µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1081 pF @ 400 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):72W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO252-3
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.