- ArtikelnummerIPB020N10N5LFATMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$7.3
- 1.000$4.1402
- 2.000$3.98687
Technische Details
- Serie:OptiMOS™-5
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:120A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:2mOhm @ 100A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4.1V @ 270µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:195 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:840 pF @ 50 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):313W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO263-3
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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