- ArtikelnummerIRF6662TRPBF
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 461
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Preisgestaltung:
- 1$2.2
- 4.800$0.96766
- 9.600$0.94736
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:8.3A (Ta), 47A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:22mOhm @ 8.2A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4.9V @ 100µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1360 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET™ MZ
- Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric MZ
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