- ArtikelnummerIMZ120R045M1XKSA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungSICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 112
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$18.33
Technische Details
- Serie:CoolSiC™
- Paket:Tray
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:52A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):15V
- rds on (max) @ id, vgs:59mOhm @ 20A, 15V
- vgs (th) (max) @ id:5.7V @ 10mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:52 nC @ 15 V
- vgs (max):+20V, -10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1900 pF @ 800 V
- Fet-Funktion:Current Sensing
- Verlustleistung (max):228W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO247-4-1
- Paket / Koffer:TO-247-4
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