- ArtikelnummerTK31V60W5,LVQ
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.253
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Preisgestaltung:
- 1$4.1
- 2.500$2.0417
Technische Details
- Serie:DTMOSIV
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:30.8A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:109mOhm @ 15.4A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 1.5mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:105 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3000 pF @ 300 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):240W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TA)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:4-DFN-EP (8x8)
- Paket / Koffer:4-VSFN Exposed Pad
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