- ArtikelnummerIGT60R190D1SATMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungGANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$15.05
- 2.000$9.17476
Technische Details
- Serie:CoolGaN™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:12.5A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
- rds on (max) @ id, vgs:-
- vgs (th) (max) @ id:1.6V @ 960µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
- vgs (max):-10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:157 pF @ 400 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):55.5W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-HSOF-8-3
- Paket / Koffer:8-PowerSFN
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