- ArtikelnummerFQA32N20C
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 35.339
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$1.14
- 10$1.03083
- 450$0.73646
- 900$0.5818
- 1.350$0.53393
Technische Details
- Serie:QFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:32A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:82mOhm @ 16A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:110 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2.22 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):204W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-3PN
- Paket / Koffer:TO-3P-3, SC-65-3
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