- ArtikelnummerEPC2101
- MarkeEPC
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
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Preisgestaltung:
- 1$7.03
- 500$4.95734
- 1.000$4.4776
Technische Details
- Serie:eGaN®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Half Bridge)
- Fet-Funktion:GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain-Source-Spannung (vdss):60V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:9.5A, 38A
- rds on (max) @ id, vgs:11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
- vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
- Leistung max:-
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:Die
- Gerätepaket des Lieferanten:Die
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