- ArtikelnummerEPC2106ENGRT
- MarkeEPC
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungGAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
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Preisgestaltung:
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Technische Details
- Serie:eGaN®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Discontinued at Digi-Key
- Fußtyp:2 N-Channel (Half Bridge)
- Fet-Funktion:GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:1.7A
- rds on (max) @ id, vgs:70mOhm @ 2A, 5V
- vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 600µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:0.73nC @ 5V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:75pF @ 50V
- Leistung max:-
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:Die
- Gerätepaket des Lieferanten:Die
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