- ArtikelnummerCSD25304W1015T
- MarkeTexas Instruments
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 2.396
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Preisgestaltung:
- 1$0.64
- 250$0.39202
- 500$0.33286
- 750$0.28848
- 1.250$0.25889
Technische Details
- Serie:NexFET™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:P-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.8V, 4.5V
- rds on (max) @ id, vgs:32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
- vgs (th) (max) @ id:1.15V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:4.4 nC @ 4.5 V
- vgs (max):±8V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:595 pF @ 10 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):750mW (Ta)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:6-DSBGA
- Paket / Koffer:6-UFBGA, DSBGA
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